MMA20312BT1 vs MMA25312BT1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MMA20312BT1 por NXP Semiconductors y MMA25312BT1 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MMA25312BT1 MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MMA20312BT1 MMA25312BT1
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría RF Amplifiers RF Amplifiers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,85 $3,65
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) —
Product Type RF Linear Power Amplifier —
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
Topología 2-stage Class AB cascade 2-stage linear driver amplifier
Frequency Range 1800 MHz to 2200 MHz 2300 MHz to 2700 MHz
Small-Signal Gain 27.2 dB 26 dB
Saturated Output Power (Psat) 30.5 dBm (~1.1 W) —
Tensión de alimentación 5 V 3 V to 5 V
Supply Current (Idq) 70 mA typical —
Encapsulado / Carcasa 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
RF Input/Output Match Internal 50 ohm —
Supported RF Standards LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 °C to +85 °C
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS Compliant (per NXP product page) Compliant
Lead-Free Yes —
Packaging Tape & Reel —
Saturated Output Power — 31 dBm (typ)
Noise Figure — 3.8 dB at 2.5 GHz
Corriente de alimentación — 124 mA (typ)
Test Frequency — 2.5 GHz
Encapsulado — 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP)
RF Type — WiMAX, WLAN

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