MMA20312BT1 vs MMA25312BT1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MMA20312BT1 par NXP Semiconductors et MMA25312BT1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MMA25312BT1 MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MMA20312BT1 MMA25312BT1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie RF Amplifiers RF Amplifiers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,85 $3,65
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) —
Product Type RF Linear Power Amplifier —
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
Topologie 2-stage Class AB cascade 2-stage linear driver amplifier
Frequency Range 1800 MHz to 2200 MHz 2300 MHz to 2700 MHz
Small-Signal Gain 27.2 dB 26 dB
Saturated Output Power (Psat) 30.5 dBm (~1.1 W) —
Tension d'alimentation 5 V 3 V to 5 V
Supply Current (Idq) 70 mA typical —
Boîtier / Format 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
RF Input/Output Match Internal 50 ohm —
Supported RF Standards LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 °C to +85 °C
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Statut RoHS Compliant (per NXP product page) Compliant
Lead-Free Yes —
Packaging Tape & Reel —
Saturated Output Power — 31 dBm (typ)
Noise Figure — 3.8 dB at 2.5 GHz
Courant d'alimentation — 124 mA (typ)
Test Frequency — 2.5 GHz
Boîtier — 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP)
RF Type — WiMAX, WLAN

Fiches techniques et ressources

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