MMA20312BT1 vs MMA25312BT1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MMA20312BT1 por NXP Semiconductors e MMA25312BT1 por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

NXP Semiconductors
MMA25312BT1 MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 - 2.3-2.7 GHz 26 dB InGaP HBT Driver Amplifier | NXP

MMA25312BT1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MMA20312BT1 MMA25312BT1
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoria RF Amplifiers RF Amplifiers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,85 $3,65
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) —
Product Type RF Linear Power Amplifier —
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
Topologia 2-stage Class AB cascade 2-stage linear driver amplifier
Frequency Range 1800 MHz to 2200 MHz 2300 MHz to 2700 MHz
Small-Signal Gain 27.2 dB 26 dB
Saturated Output Power (Psat) 30.5 dBm (~1.1 W) —
Tensão de alimentação 5 V 3 V to 5 V
Supply Current (Idq) 70 mA typical —
Encapsulamento / Caixa 12-QFN (3x3 mm) with Exposed Pad —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
RF Input/Output Match Internal 50 ohm —
Supported RF Standards LTE, PCS, TD-SCDMA, UMTS —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 °C to +85 °C
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Status RoHS Compliant (per NXP product page) Compliant
Lead-Free Yes —
Packaging Tape & Reel —
Saturated Output Power — 31 dBm (typ)
Noise Figure — 3.8 dB at 2.5 GHz
Corrente de alimentação — 124 mA (typ)
Test Frequency — 2.5 GHz
Encapsulamento — 12-VFQFN Exposed Pad (QFN-12 EP)
RF Type — WiMAX, WLAN

Fichas técnicas e recursos

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