MMA7340LR1 vs MMA7330LR1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MMA7340LR1 por NXP Semiconductors y MMA7330LR1 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MMA7340LR1 MMA7340LR1 - ±3g/±11g 3-Axis Analog Accelerometer | NXP

MMA7340LR1 - ±3g/±11g 3-Axis Analog Accelerometer | NXP

MMA7340LR1 ✓ Activo
NXP Semiconductors
MMA7330LR1 MMA7330LR1 - ±4g/±12g 3-Axis Analog Accelerometer | NXP

MMA7330LR1 - ±4g/±12g 3-Axis Analog Accelerometer | NXP

MMA7330LR1 Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro MMA7340LR1 MMA7330LR1
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría Motion Sensors Motion Sensors
Estado del ciclo de vida Activo Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,85 $3,76
Tipo de sensor 3-Axis Capacitive MEMS Accelerometer Accelerometer, 3-axis
Acceleration Range ±3g, ±11g (selectable via g-Select) ±4g (g-Select low), ±12g (g-Select high)
Tipo de salida Analog voltage (one VOUT per axis) Analog voltage (ratiometric)
Sensitivity (3g mode) [DATA_NEEDED: 3g mode sensitivity mV/g] —
Sensitivity (11g mode) [DATA_NEEDED: 11g mode sensitivity mV/g] —
Zero-g Offset (factory trimmed) [DATA_NEEDED: zero-g offset V] —
Bandwidth (X, Y axes) 400 Hz —
Bandwidth (Z axis) 300 Hz —
Filter 1-pole low-pass 1-pole low-pass on-chip
Self-Test Yes (logic-level input) Yes (active high)
Sleep Mode Yes (logic-level input) —
Tensión de alimentación 2.2 V to 3.6 V (typical 3.3 V) —
Supply Current (active) [DATA_NEEDED: active supply current mA] —
Supply Current (sleep) [DATA_NEEDED: sleep supply current uA] —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +85 C -40 °C to +85 °C
Encapsulado 14-LGA (3 x 5 mm) 14-LGA (3 mm x 5 mm x 1 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Status Lead Free —
Axes Measured — X, Y, Z
Sensitivity (±4g mode) — 800 mV/g (typical at Vdd=3.3 V)
Sensitivity (±12g mode) — 200 mV/g (typical at Vdd=3.3 V)
Bandwidth (X, Y) — 400 Hz
Bandwidth (Z) — 300 Hz
Supply Voltage (Vdd) — 2.2 V to 3.5 V
Supply Voltage (VddIO) — 1.71 V to 3.5 V
Corriente de alimentación — 400 µA typical
Densidad de ruido — 1.5 mg/√Hz typical
Zero-g Offset (factory trim) — Pre-trimmed, no external components required
Shock Survival — 10,000 g (per NXP test methodology)

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