MMBF170LT1 vs 2N7002LT1G Comparación

Comparación detallada lado a lado de MMBF170LT1 por onsemi y 2N7002LT1G por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro MMBF170LT1 2N7002LT1G
Marca onsemi onsemi
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,09 $0,02
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi (ON Semiconductor)
Part Number MMBF170LT1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulado / Carcasa SOT-23-3 (TO-236) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Recuento de pines 3 —
Estado RoHS Compliant (per onsemi product page) —
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS MOSFET
Polarity N-Channel N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Configuration — Single FET
Encapsulado — SOT-23-3 (TO-236)
Número de pines — 3
Categoría — Small Signal MOSFET
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

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