MMBF170LT1 vs 2N7002LT1G Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MMBF170LT1 por onsemi e 2N7002LT1G por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro MMBF170LT1 2N7002LT1G
Marca onsemi onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,09 $0,02
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi (ON Semiconductor)
Part Number MMBF170LT1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento / Caixa SOT-23-3 (TO-236) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 —
Status RoHS Compliant (per onsemi product page) —
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS MOSFET
Polarity N-Channel N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Configuration — Single FET
Encapsulamento — SOT-23-3 (TO-236)
Número de pinos — 3
Categoria — Small Signal MOSFET
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

Fichas técnicas e recursos

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