MMBF170LT1 vs 2N7002LT1G Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MMBF170LT1 par onsemi et 2N7002LT1G par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre MMBF170LT1 2N7002LT1G
Marque onsemi onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,09 $0,02
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) onsemi (ON Semiconductor)
Part Number MMBF170LT1 —
Type de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier / Format SOT-23-3 (TO-236) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Statut RoHS Compliant (per onsemi product page) —
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS MOSFET
Polarity N-Channel N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Configuration — Single FET
Boîtier — SOT-23-3 (TO-236)
Nombre de broches — 3
Catégorie — Small Signal MOSFET
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

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