MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WB-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A1G8SA-075:E por Micron Technology y K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,30 | $6,50 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8Gbit (1G x 8) | 8 Gb |
| Interfaz | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Velocidad de datos | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Encapsulado | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | — |
| Data Mask Function | Supported | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |