MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WB-BIWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A1G8SA-075:E 제조: Micron Technology 및 K4A8G085WB-BIWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.30 | $6.50 |
| 메모리 유형 | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8Gbit (1G x 8) | 8 Gb |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| 데이터 속도 | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| 패키지 | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | — |
| Data Mask Function | Supported | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 동작 온도 | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |