MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WB-BIWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8SA-075:E par Micron Technology et K4A8G085WB-BIWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,30 | $6,50 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8Gbit (1G x 8) | 8 Gb |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Débit de données | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Boîtier | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | — |
| Data Mask Function | Supported | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +85°C |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |