MT40A512M16LY-075:E vs K4A8G165WB-BCWE Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16LY-075:E por Micron Technology y K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M16LY-075:E K4A8G165WB-BCWE
Marca Micron Technology Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,80 $6,55
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit (512M x 16) —
Velocidad de datos 2666 MT/s 3200 Mbps
Clock Frequency 1.33 GHz —
Latencia CAS 19 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
Interfaz Parallel Parallel
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96FBGA
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
RoHS Compliant —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Density — 8 Gb
Organización de memoria — 512M x 16
Tensión de alimentación — 1.2 V
Access Time (CAS Latency) — 19 ns
Temperatura de funcionamiento — 0C to +85C
Burst Length — 8
Bank Group Architecture — Yes
On-Die Termination (ODT) — Yes, dynamic ODT with ZQ calibration
Functions — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask
Estado RoHS — Compliant
Lead Free — Yes

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