MT40A512M16LY-075:E vs K4A8G165WB-BCWE 比較
詳細な並列比較: MT40A512M16LY-075:E メーカー: Micron Technology および K4A8G165WB-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT40A512M16LY-075:E | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.80 | $6.55 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| データレート | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| CASレイテンシ | 19 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| インターフェース | Parallel | Parallel |
| パッケージ | 96-FBGA (7.5x13.5mm) | 96FBGA |
| 動作温度範囲 | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Internal Banks (x16) | 8 banks (4 groups of 2) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Density | — | 8 Gb |
| メモリ構成 | — | 512M x 16 |
| 電源電圧 | — | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| 動作温度 | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |