MT40A512M16LY-075:E vs K4A8G165WB-BCWE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16LY-075:E von Micron Technology und K4A8G165WB-BCWE von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ AktivSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A512M16LY-075:E | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,80 | $6,55 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Datenrate | 2666 MT/s | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| CAS-Latenz | 19 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13.5mm) | 96FBGA |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Internal Banks (x16) | 8 banks (4 groups of 2) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Betriebstemperatur | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |