MT40A512M16LY-075:E vs K4A8G165WB-BCWE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-075:E par Micron Technology et K4A8G165WB-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron

MT40A512M16LY-075:E ✓ Actif
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G165WB-BCWE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16LY-075:E K4A8G165WB-BCWE
Marque Micron Technology Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,80 $6,55
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit (512M x 16) —
Débit de données 2666 MT/s 3200 Mbps
Clock Frequency 1.33 GHz —
Latence CAS 19 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
Interface Parallel Parallel
Boîtier 96-FBGA (7.5x13.5mm) 96FBGA
Plage de température de fonctionnement 0°C to +95°C —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Internal Banks (x16) 8 banks (4 groups of 2) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
RoHS Compliant —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Density — 8 Gb
Organisation de la mémoire — 512M x 16
Tension d'alimentation — 1.2 V
Access Time (CAS Latency) — 19 ns
Température de fonctionnement — 0C to +85C
Burst Length — 8
Bank Group Architecture — Yes
On-Die Termination (ODT) — Yes, dynamic ODT with ZQ calibration
Functions — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask
Statut RoHS — Compliant
Lead Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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