MT40A512M16LY-075 vs E3AD8G16A4-HR Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16LY-075 por Micron Technology y E3AD8G16A4-HR por ELIXIR/NANYA. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Activo
ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M16LY-075 E3AD8G16A4-HR
Marca Micron Technology ELIXIR/NANYA
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $27,89 $8,60
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organización de memoria 512M x 16 512M x 16
Clock Speed 1.33 GHz —
Velocidad de datos DDR4-2666 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13.5 mm) TFBGA-96
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Tensión de alimentación — 1.2 V
Latencia CAS — 22
Burst Length — 8 (BC4 optional)
Number of Banks — 16 (4 bank groups)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Temperatura de funcionamiento — 0C to +95C (TCASE)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Speed Grade — DDR4-3200

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