MT40A512M16LY-075 vs E3AD8G16A4-HR 对比

详细并排对比 MT40A512M16LY-075 出自 Micron Technology 和 E3AD8G16A4-HR 出自 ELIXIR/NANYA。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ 量产中
ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ 量产中

规格对比

参数 MT40A512M16LY-075 E3AD8G16A4-HR
品牌 Micron Technology ELIXIR/NANYA
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $27.89 $8.60
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
存储组织 512M x 16 512M x 16
Clock Speed 1.33 GHz —
数据速率 DDR4-2666 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
封装 96-FBGA (7.5x13.5 mm) TFBGA-96
工作温度范围 0°C to +95°C —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
电源电压 — 1.2 V
CAS 延迟 — 22
Burst Length — 8 (BC4 optional)
Number of Banks — 16 (4 bank groups)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
工作温度 — 0C to +95C (TCASE)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Speed Grade — DDR4-3200

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