MT40A512M16LY-075 vs E3AD8G16A4-HR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MT40A512M16LY-075 от Micron Technology и E3AD8G16A4-HR от ELIXIR/NANYA. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Активен
ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MT40A512M16LY-075 E3AD8G16A4-HR
Бренд Micron Technology ELIXIR/NANYA
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $27,89 $8,60
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Clock Speed 1.33 GHz —
Скорость передачи данных DDR4-2666 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
Корпус 96-FBGA (7.5x13.5 mm) TFBGA-96
Диапазон рабочих температур 0°C to +95°C —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Напряжение питания — 1.2 V
Задержка CAS — 22
Burst Length — 8 (BC4 optional)
Number of Banks — 16 (4 bank groups)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Рабочая температура — 0C to +95C (TCASE)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Speed Grade — DDR4-3200

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену