MT40A512M16LY-075 vs E3AD8G16A4-HR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-075 par Micron Technology et E3AD8G16A4-HR par ELIXIR/NANYA. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Actif
ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16LY-075 E3AD8G16A4-HR
Marque Micron Technology ELIXIR/NANYA
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $27,89 $8,60
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Clock Speed 1.33 GHz —
Débit de données DDR4-2666 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
Boîtier 96-FBGA (7.5x13.5 mm) TFBGA-96
Plage de température de fonctionnement 0°C to +95°C —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Tension d'alimentation — 1.2 V
Latence CAS — 22
Burst Length — 8 (BC4 optional)
Number of Banks — 16 (4 bank groups)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Température de fonctionnement — 0C to +95C (TCASE)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Speed Grade — DDR4-3200

Fiches techniques et ressources

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