MT40A512M16LY-075 vs E3AD8G16A4-HR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16LY-075 por Micron Technology e E3AD8G16A4-HR por ELIXIR/NANYA. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16LY-075 MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16LY-075 ✓ Ativo
ELIXIR/NANYA
E3AD8G16A4-HR E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ELIXIR/NANYA

E3AD8G16A4-HR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16LY-075 E3AD8G16A4-HR
Marca Micron Technology ELIXIR/NANYA
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $27,89 $8,60
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Clock Speed 1.33 GHz —
Taxa de dados DDR4-2666 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply 2.5V (-125mV, +250mV) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
Internal Banks (x16) 8 (2 groups of 4 banks) —
Refresh Time at TC -40°C to 85°C 64ms —
Refresh Time at TC >85°C to 95°C 32ms —
Refresh Time at TC >95°C to 105°C 16ms —
Encapsulamento 96-FBGA (7.5x13.5 mm) TFBGA-96
Faixa de temperatura de operação 0°C to +95°C —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Tensão de alimentação — 1.2 V
Latência CAS — 22
Burst Length — 8 (BC4 optional)
Number of Banks — 16 (4 bank groups)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Temperatura de operação — 0C to +95C (TCASE)
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Speed Grade — DDR4-3200

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação