MT40A512M16TB-062E:R vs YZ48G16V-F9HPI-M Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology y YZ48G16V-F9HPI-M por Loongtion. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A512M16TB-062E:R | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Loongtion |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $60,00 | $8,60 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Latencia CAS | 22 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA96 |
| Interfaz | Parallel | DDR4 |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | 16 bits |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Características | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| Organización de memoria | — | 512M x 16 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +85°C |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Recuento de pines | — | 96 |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| Refresh | — | Auto-refresh |