MT40A512M16TB-062E:R vs YZ48G16V-F9HPI-M 比較

詳細な並列比較: MT40A512M16TB-062E:R メーカー: Micron Technology および YZ48G16V-F9HPI-M メーカー: Loongtion。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16TB-062E:R ✓ 生産中
Loongtion
YZ48G16V-F9HPI-M YZ48G16V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA96 | Loongtion

YZ48G16V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM x16 FBGA96 | Loongtion

YZ48G16V-F9HPI-M ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A512M16TB-062E:R YZ48G16V-F9HPI-M
ブランド Micron Technology Loongtion
カテゴリ Memory ICs DRAM
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $60.00 $8.60
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit (512M x 16) —
データレート 3200 MT/s 3200 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz —
CASレイテンシ 22 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
動作温度 0°C to +95°C —
パッケージ 96-FBGA (7.5x13 mm) FBGA96
インターフェース Parallel DDR4
データバス幅 16 bits 16 bits
Refresh Time 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
特長 Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Density — 8 Gb
メモリ構成 — 512M x 16
動作温度範囲 — -40°C to +85°C
電源電圧 — 1.2 V
ピン数 — 96
実装タイプ — Surface Mount
Industrial Grade — Yes
Compatible with — Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B
Refresh — Auto-refresh

データシート&リソース

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