MT40A512M16TB-062E:R vs YZ48G16V-F9HPI-M Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16TB-062E:R par Micron Technology et YZ48G16V-F9HPI-M par Loongtion. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16TB-062E:R | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Loongtion |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $60,00 | $8,60 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Débit de données | 3200 MT/s | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Latence CAS | 22 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA96 |
| Interface | Parallel | DDR4 |
| Largeur du bus de données | 16 bits | 16 bits |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +85°C |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| Refresh | — | Auto-refresh |