MT40A512M16TB-062E:R vs YZ48G16V-F9HPI-M Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology e YZ48G16V-F9HPI-M por Loongtion. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | MT40A512M16TB-062E:R | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Loongtion |
| Categoria | Memory ICs | DRAM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $60,00 | $8,60 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Taxa de dados | 3200 MT/s | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Latência CAS | 22 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C | — |
| Encapsulamento | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA96 |
| Interface | Parallel | DDR4 |
| Largura do barramento de dados | 16 bits | 16 bits |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Recursos | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| Organização da memória | — | 512M x 16 |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40°C to +85°C |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| Contagem de pinos | — | 96 |
| Tipo de montagem | — | Surface Mount |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| Refresh | — | Auto-refresh |