MT40A512M16TB-062E:R vs YZ48G16V-F9HPI-M Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16TB-062E:R von Micron Technology und YZ48G16V-F9HPI-M von Loongtion. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A512M16TB-062E:R | YZ48G16V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Loongtion |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $60,00 | $8,60 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| Datenrate | 3200 MT/s | 3200 MT/s |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| CAS-Latenz | 22 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13 mm) | FBGA96 |
| Schnittstelle | Parallel | DDR4 |
| Datenbusbreite | 16 bits | 16 bits |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Eigenschaften | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +85°C |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Pin-Anzahl | — | 96 |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Industrial Grade | — | Yes |
| Compatible with | — | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B |
| Refresh | — | Auto-refresh |