MT40A512M16TB-062E:R vs K4A8G085WB-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16TB-062E:R por Micron Technology y K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A512M16TB-062E:R | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $60,00 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gb |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Latencia CAS | 22 | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 78-FBGA |
| Interfaz | Parallel | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | — |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Características | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |