MT40A512M16TB-062E:R vs K4A8G085WB-BIWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16TB-062E:R par Micron Technology et K4A8G085WB-BIWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:R - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron
MT40A512M16TB-062E:R ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16TB-062E:R | K4A8G085WB-BIWE |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $60,00 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gb |
| Débit de données | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| Latence CAS | 22 | [DATA_NEEDED: CL value] |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | 0°C to +85°C |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 78-FBGA |
| Interface | Parallel | — |
| Largeur du bus de données | 16 bits | — |
| Refresh Time | 8192 cycles (64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Organization | — | 1G x 8 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |