MT41K256M16LY-107 vs K4B4G1646E-BYMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16LY-107 por Micron Technology y K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16LY-107 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,25 | $14,32 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Latencia CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Tensión de alimentación | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Velocidad de datos | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Número de pines | 96 | 96 |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |