MT41K256M16LY-107 vs K4B4G1646E-BYMA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16LY-107 por Micron Technology e K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | MT41K256M16LY-107 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,25 | $14,32 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Largura do barramento de dados | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Latência CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Tensão de alimentação | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Encapsulamento | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | FBGA-96 |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Taxa de dados | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Número de pinos | 96 | 96 |
| Status RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organização da memória | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |