MT41K256M16LY-107 vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16LY-107 par Micron Technology et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16LY-107 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,25 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Latence CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Tension d'alimentation | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | FBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Débit de données | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Nombre de broches | 96 | 96 |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |