MT41K256M16LY-107 vs K4B4G1646E-BYMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16LY-107 от Micron Technology и K4B4G1646E-BYMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | MT41K256M16LY-107 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,25 | $14,32 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Разрядность шины данных | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Задержка CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Напряжение питания | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Корпус | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | FBGA-96 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Скорость передачи данных | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Количество выводов | 96 | 96 |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Организация памяти | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |