NT5AD512M16A4-GZ vs K4A8G165WB-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16A4-GZ por Nanya Technology y K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | NT5AD512M16A4-GZ | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,50 | $6,55 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Tensión de alimentación | 1.2V | 1.2 V |
| Frecuencia de reloj máxima | 1200 MHz | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | — |
| Encapsulado | TFBGA-96 | 96FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| Velocidad de datos | — | 3200 Mbps |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Interfaz | — | Parallel |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |