NT5AD512M16A4-GZ vs K4A8G165WB-BCWE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16A4-GZ par Nanya Technology et K4A8G165WB-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16A4-GZ | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,50 | $6,55 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Tension d'alimentation | 1.2V | 1.2 V |
| Fréquence d'horloge maximale | 1200 MHz | — |
| Largeur du bus de données | 16 bits | — |
| Boîtier | TFBGA-96 | 96FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | — |
| Plage de température de fonctionnement | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| Débit de données | — | 3200 Mbps |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| Interface | — | Parallel |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |