NT5AD512M16A4-GZ vs K4A8G165WB-BCWE 比較
詳細な並列比較: NT5AD512M16A4-GZ メーカー: Nanya Technology および K4A8G165WB-BCWE メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT5AD512M16A4-GZ | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $8.50 | $6.55 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| 電源電圧 | 1.2V | 1.2 V |
| 最大クロック周波数 | 1200 MHz | — |
| データバス幅 | 16 bits | — |
| パッケージ | TFBGA-96 | 96FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | — |
| 動作温度範囲 | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| データレート | — | 3200 Mbps |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| インターフェース | — | Parallel |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| 動作温度 | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| RoHS ステータス | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |