NT5AD512M16A4-GZ vs K4A8G165WB-BCWE 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5AD512M16A4-GZ 제조: Nanya Technology 및 K4A8G165WB-BCWE 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5AD512M16A4-GZ | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $8.50 | $6.55 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| 공급 전압 | 1.2V | 1.2 V |
| 최대 클록 주파수 | 1200 MHz | — |
| 데이터 버스 폭 | 16 bits | — |
| 패키지 | TFBGA-96 | 96FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Interleaved Burst Length | 4, 8 | — |
| Access Mode | Four Bank Page Burst | — |
| 동작 온도 범위 | Commercial and Industrial | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling Function | Yes | — |
| ZQ Calibration Function | Yes | — |
| 데이터 속도 | — | 3200 Mbps |
| Access Time (CAS Latency) | — | 19 ns |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 동작 온도 | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 |
| Bank Group Architecture | — | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration |
| Functions | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |