NT5CC256M16DP-FLNA vs K4B4G1646E-BYMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16DP-FLNA por Nanya Technology y K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM | Nanya Technology
NT5CC256M16DP-FLNA ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CC256M16DP-FLNA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $20,00 | $14,32 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4 Gb | — |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1866 Mbps/pin |
| Latencia CAS | 11, 12, 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Banks | 8 | — |
| Interfaz | SSTL-15 | — |
| Encapsulado | BGA-96 (13x9 mm) | FBGA-96 |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh | Auto self-refresh, auto precharge | — |
| Características | Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Número de pines | — | 96 |