NT5CC256M16DP-FLNA vs K4B4G1646E-BYMA 比較
詳細な並列比較: NT5CC256M16DP-FLNA メーカー: Nanya Technology および K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT5CC256M16DP-FLNA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $20.00 | $14.32 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4 Gb | — |
| 電源電圧 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| データレート | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1866 Mbps/pin |
| CASレイテンシ | 11, 12, 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Banks | 8 | — |
| インターフェース | SSTL-15 | — |
| パッケージ | BGA-96 (13x9 mm) | FBGA-96 |
| 動作温度 | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh | Auto self-refresh, auto precharge | — |
| 特長 | Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| ピン数 | — | 96 |