NT5CC256M16DP-FLNA vs K4B4G1646E-BYMA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16DP-FLNA par Nanya Technology et K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16DP-FLNA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $20,00 | $14,32 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4 Gb | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Débit de données | 1600 Mbps (PC3L-12800) | 1866 Mbps/pin |
| Latence CAS | 11, 12, 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Banks | 8 | — |
| Interface | SSTL-15 | — |
| Boîtier | BGA-96 (13x9 mm) | FBGA-96 |
| Température de fonctionnement | -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) | 0°C to +95°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh | Auto self-refresh, auto precharge | — |
| Caractéristiques | Write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration, data mask, asynchronous reset | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Nombre de broches | — | 96 |