NT6AN8T0SA vs NT6AN8T6WBJ1B1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT6AN8T0SA por Nanya Technology y NT6AN8T6WBJ1B1 por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | NT6AN8T0SA | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,88 | $8,75 |
| Tipo de memoria | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Organización de memoria | 64M x 32 | — |
| Tensión de alimentación | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Velocidad de datos | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 MT/s |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -30°C to +85°C | — |
| Encapsulado | FBGA | 96-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| DLL | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gb (512M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Latencia CAS | — | 22 cycles |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0C to +95C (TC) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |