NT6AN8T0SA vs NT6AN8T6WBJ1B1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок NT6AN8T0SA от Nanya Technology и NT6AN8T6WBJ1B1 от Nanya Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | NT6AN8T0SA | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Бренд | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,88 | $8,75 |
| Тип памяти | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Организация памяти | 64M x 32 | — |
| Напряжение питания | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Скорость передачи данных | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 MT/s |
| Диапазон рабочих температур | -30°C to +85°C | — |
| Корпус | FBGA | 96-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| DLL | Yes | — |
| Размер памяти | — | 8 Gb (512M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Задержка CAS | — | 22 cycles |
| Рабочая температура | — | 0C to +95C (TC) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |