NT6AN8T0SA vs NT6AN8T6WBJ1B1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT6AN8T0SA par Nanya Technology et NT6AN8T6WBJ1B1 par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT6AN8T0SA | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,88 | $8,75 |
| Type de mémoire | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 64M x 32 | — |
| Tension d'alimentation | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Débit de données | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 MT/s |
| Plage de température de fonctionnement | -30°C to +85°C | — |
| Boîtier | FBGA | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| DLL | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb (512M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Latence CAS | — | 22 cycles |
| Température de fonctionnement | — | 0C to +95C (TC) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |