NT6AN8T0SA vs NT6AN8T6WBJ1B1 比較
詳細な並列比較: NT6AN8T0SA メーカー: Nanya Technology および NT6AN8T6WBJ1B1 メーカー: Nanya Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | NT6AN8T0SA | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| ブランド | Nanya Technology | Nanya Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.88 | $8.75 |
| メモリタイプ | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| メモリ構成 | 64M x 32 | — |
| 電源電圧 | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| データレート | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 MT/s |
| 動作温度範囲 | -30°C to +85°C | — |
| パッケージ | FBGA | 96-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| DLL | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gb (512M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| CASレイテンシ | — | 22 cycles |
| 動作温度 | — | 0C to +95C (TC) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |