NT6AN8T0SA vs NT6AN8T6WBJ1B1 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT6AN8T0SA von Nanya Technology und NT6AN8T6WBJ1B1 von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT6AN8T0SA | NT6AN8T6WBJ1B1 |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,88 | $8,75 |
| Speichertyp | LPDDR2 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 2Gb | — |
| Speicherorganisation | 64M x 32 | — |
| Versorgungsspannung | 1.2V | 1.2 V |
| I/O Voltage | 1.2V | — |
| Datenrate | 1066 Mbps (533 MHz) | 3200 MT/s |
| Betriebstemperaturbereich | -30°C to +85°C | — |
| Gehäuse | FBGA | 96-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Refresh Period | 64ms at 85°C | — |
| Burst Length | 4 or 8 | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| DLL | Yes | — |
| Speichergröße | — | 8 Gb (512M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| CAS-Latenz | — | 22 cycles |
| Betriebstemperatur | — | 0C to +95C (TC) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Bank Groups | — | 4 groups of 4 banks |
| Row Address | — | 16 bits |
| Column Address | — | 10 bits |