TJ60S06M3L vs TJ60S06M3LT6L1.NQ Comparación

Comparación detallada lado a lado de TJ60S06M3L por Toshiba y TJ60S06M3LT6L1.NQ por Toshiba. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro TJ60S06M3L TJ60S06M3LT6L1.NQ
Marca Toshiba Toshiba
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,54 $0,52
Polarity P-Channel P-channel
Technology U-MOSVI (Trench MOSFET) Toshiba U-MOS (silicon)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) -60 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 100 W (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) 11.2 mΩ (typ.) at VGS = -10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vth) -3.0 V (typ.) at VDS = -1 mA —
Drain Leakage Current (IDSS) -10 µA (max) at VDS = -40 V —
Input Capacitance (Ciss) 7760 pF (typ.) 7760 pF
Encapsulado DPAK+ (TO-252-3 surface-mount) DPAK+ (TO-252)
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: -55C to +175C assumed, confirm via datasheet] —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS RoHS compliant —
Automotive Grade AEC-Q101 qualified (LJ suffix: TJ60S06M3L,LXHQ) —
Manufacturer Toshiba Electronic Devices & Storage —
Cell Technology Trench (enhancement mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) — +10 V / -20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -60 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 100 W
RDS(on) Max at VGS=-10V — 0.0112 ohm
FET Type — MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (Tj)
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Estado RoHS — Compliant
Automotive Qualified — Yes (per Toshiba product positioning)

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