TJ60S06M3L vs TJ60S06M3LT6L1.NQ Comparação

Comparação detalhada lado a lado de TJ60S06M3L por Toshiba e TJ60S06M3LT6L1.NQ por Toshiba. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro TJ60S06M3L TJ60S06M3LT6L1.NQ
Marca Toshiba Toshiba
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,54 $0,52
Polarity P-Channel P-channel
Technology U-MOSVI (Trench MOSFET) Toshiba U-MOS (silicon)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) -60 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 100 W (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) 11.2 mΩ (typ.) at VGS = -10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vth) -3.0 V (typ.) at VDS = -1 mA —
Drain Leakage Current (IDSS) -10 µA (max) at VDS = -40 V —
Input Capacitance (Ciss) 7760 pF (typ.) 7760 pF
Encapsulamento DPAK+ (TO-252-3 surface-mount) DPAK+ (TO-252)
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: -55C to +175C assumed, confirm via datasheet] —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS RoHS compliant —
Automotive Grade AEC-Q101 qualified (LJ suffix: TJ60S06M3L,LXHQ) —
Manufacturer Toshiba Electronic Devices & Storage —
Cell Technology Trench (enhancement mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) — +10 V / -20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -60 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 100 W
RDS(on) Max at VGS=-10V — 0.0112 ohm
FET Type — MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Temperatura de operação — -55C to +150C (Tj)
Nível MSL — 1 (unlimited)
Status RoHS — Compliant
Automotive Qualified — Yes (per Toshiba product positioning)

Fichas técnicas e recursos

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