TJ60S06M3L vs TJ60S06M3LT6L1.NQ Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TJ60S06M3L par Toshiba et TJ60S06M3LT6L1.NQ par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre TJ60S06M3L TJ60S06M3LT6L1.NQ
Marque Toshiba Toshiba
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,54 $0,52
Polarity P-Channel P-channel
Technology U-MOSVI (Trench MOSFET) Toshiba U-MOS (silicon)
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V -60 V
Continuous Drain Current (ID) -60 A (Tc) —
Power Dissipation (PD) 100 W (Tc) —
On-State Resistance (RDS(on)) 11.2 mΩ (typ.) at VGS = -10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (Vth) -3.0 V (typ.) at VDS = -1 mA —
Drain Leakage Current (IDSS) -10 µA (max) at VDS = -40 V —
Input Capacitance (Ciss) 7760 pF (typ.) 7760 pF
Boîtier DPAK+ (TO-252-3 surface-mount) DPAK+ (TO-252)
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: -55C to +175C assumed, confirm via datasheet] —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS RoHS compliant —
Automotive Grade AEC-Q101 qualified (LJ suffix: TJ60S06M3L,LXHQ) —
Manufacturer Toshiba Electronic Devices & Storage —
Cell Technology Trench (enhancement mode) —
Gate-Source Voltage (VGS) — +10 V / -20 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -60 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 100 W
RDS(on) Max at VGS=-10V — 0.0112 ohm
FET Type — MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Température de fonctionnement — -55C to +150C (Tj)
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Statut RoHS — Compliant
Automotive Qualified — Yes (per Toshiba product positioning)

Fiches techniques et ressources

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