W29N01HVBINF vs W29N01HVBINF-TR Comparación

Comparación detallada lado a lado de W29N01HVBINF por Winbond y W29N01HVBINF-TR por Winbond. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro W29N01HVBINF W29N01HVBINF-TR
Marca Winbond Winbond
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,21 $1,62
Tipo de memoria Non-volatile NAND Flash (SLC) Non-volatile NAND Flash (SLC)
Tamaño de memoria 1 Gbit (128 M x 8) —
Technology ONFI 1.0 compliant SLC NAND —
Organización de memoria 128M x 8 (1 page = 2112 B, 1 block = 64 pages) x8 (8-bit multiplexed I/O bus)
Interfaz Parallel asynchronous x8 Parallel ONFI 1.0 NAND
Tensión de alimentación 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical) —
Page Read Access Time 25 ns (typical) —
Page Size 2112 bytes (2048 data + 64 spare) 2048 + 64 bytes
Block Size 128 KB (64 pages x 2112 bytes) [DATA_NEEDED: block size in pages]
Number of Blocks 1024 blocks —
Page Program Time 250 us typical —
Block Erase Time 2 ms typical —
ECC Support On-chip 4-bit ECC per 528 bytes —
Endurance 100 K P/E cycles per block (SLC) —
Data Retention 10 years typical —
Temperatura de funcionamiento -40 to 85 degrees C (Industrial) [DATA_NEEDED: industrial temp range]
Encapsulado 63-ball VFBGA, 9 mm x 11 mm 63-ball VFBGA, 9 mm x 11 mm
Estado RoHS Compliant —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Density — 1 Gbit (128 MB)
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical)
Random Access Time — 20 ns
ECC Requirement — 4-bit ECC per 528 bytes
Program/Erase Cycles — 100,000 cycles (SLC typical)
Compliance — RoHS compliant, Halogen-Free
Packaging — Tape and Reel (TR suffix)

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