W29N01HVBINF vs W29N01HVBINF-TR 比較

詳細な並列比較: W29N01HVBINF メーカー: Winbond および W29N01HVBINF-TR メーカー: Winbond。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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W29N01HVBINF-TR W29N01HVBINF-TR - 1Gb 3V SLC NAND Flash, 63-VFBGA | Winbond

W29N01HVBINF-TR - 1Gb 3V SLC NAND Flash, 63-VFBGA | Winbond

W29N01HVBINF-TR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ W29N01HVBINF W29N01HVBINF-TR
ブランド Winbond Winbond
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.21 $1.62
メモリタイプ Non-volatile NAND Flash (SLC) Non-volatile NAND Flash (SLC)
メモリサイズ 1 Gbit (128 M x 8) —
Technology ONFI 1.0 compliant SLC NAND —
メモリ構成 128M x 8 (1 page = 2112 B, 1 block = 64 pages) x8 (8-bit multiplexed I/O bus)
インターフェース Parallel asynchronous x8 Parallel ONFI 1.0 NAND
電源電圧 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical) —
Page Read Access Time 25 ns (typical) —
Page Size 2112 bytes (2048 data + 64 spare) 2048 + 64 bytes
Block Size 128 KB (64 pages x 2112 bytes) [DATA_NEEDED: block size in pages]
Number of Blocks 1024 blocks —
Page Program Time 250 us typical —
Block Erase Time 2 ms typical —
ECC Support On-chip 4-bit ECC per 528 bytes —
Endurance 100 K P/E cycles per block (SLC) —
Data Retention 10 years typical —
動作温度 -40 to 85 degrees C (Industrial) [DATA_NEEDED: industrial temp range]
パッケージ 63-ball VFBGA, 9 mm x 11 mm 63-ball VFBGA, 9 mm x 11 mm
RoHS ステータス Compliant —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Density — 1 Gbit (128 MB)
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical)
Random Access Time — 20 ns
ECC Requirement — 4-bit ECC per 528 bytes
Program/Erase Cycles — 100,000 cycles (SLC typical)
Compliance — RoHS compliant, Halogen-Free
Packaging — Tape and Reel (TR suffix)

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