W29N01HVBINF vs W29N01HVBINF-TR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de W29N01HVBINF par Winbond et W29N01HVBINF-TR par Winbond. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre W29N01HVBINF W29N01HVBINF-TR
Marque Winbond Winbond
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,21 $1,62
Type de mémoire Non-volatile NAND Flash (SLC) Non-volatile NAND Flash (SLC)
Taille de mémoire 1 Gbit (128 M x 8) —
Technology ONFI 1.0 compliant SLC NAND —
Organisation de la mémoire 128M x 8 (1 page = 2112 B, 1 block = 64 pages) x8 (8-bit multiplexed I/O bus)
Interface Parallel asynchronous x8 Parallel ONFI 1.0 NAND
Tension d'alimentation 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical) —
Page Read Access Time 25 ns (typical) —
Page Size 2112 bytes (2048 data + 64 spare) 2048 + 64 bytes
Block Size 128 KB (64 pages x 2112 bytes) [DATA_NEEDED: block size in pages]
Number of Blocks 1024 blocks —
Page Program Time 250 us typical —
Block Erase Time 2 ms typical —
ECC Support On-chip 4-bit ECC per 528 bytes —
Endurance 100 K P/E cycles per block (SLC) —
Data Retention 10 years typical —
Température de fonctionnement -40 to 85 degrees C (Industrial) [DATA_NEEDED: industrial temp range]
Boîtier 63-ball VFBGA, 9 mm x 11 mm 63-ball VFBGA, 9 mm x 11 mm
Statut RoHS Compliant —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Density — 1 Gbit (128 MB)
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical)
Random Access Time — 20 ns
ECC Requirement — 4-bit ECC per 528 bytes
Program/Erase Cycles — 100,000 cycles (SLC typical)
Compliance — RoHS compliant, Halogen-Free
Packaging — Tape and Reel (TR suffix)

Fiches techniques et ressources

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