W29N01HVBINF vs W29N01HVBINF-TR 비교
다음의 상세 나란히 비교: W29N01HVBINF 제조: Winbond 및 W29N01HVBINF-TR 제조: Winbond. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | W29N01HVBINF | W29N01HVBINF-TR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Winbond |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.21 | $1.62 |
| 메모리 유형 | Non-volatile NAND Flash (SLC) | Non-volatile NAND Flash (SLC) |
| 메모리 크기 | 1 Gbit (128 M x 8) | — |
| Technology | ONFI 1.0 compliant SLC NAND | — |
| 메모리 구성 | 128M x 8 (1 page = 2112 B, 1 block = 64 pages) | x8 (8-bit multiplexed I/O bus) |
| 인터페이스 | Parallel asynchronous x8 | Parallel ONFI 1.0 NAND |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical) | — |
| Page Read Access Time | 25 ns (typical) | — |
| Page Size | 2112 bytes (2048 data + 64 spare) | 2048 + 64 bytes |
| Block Size | 128 KB (64 pages x 2112 bytes) | [DATA_NEEDED: block size in pages] |
| Number of Blocks | 1024 blocks | — |
| Page Program Time | 250 us typical | — |
| Block Erase Time | 2 ms typical | — |
| ECC Support | On-chip 4-bit ECC per 528 bytes | — |
| Endurance | 100 K P/E cycles per block (SLC) | — |
| Data Retention | 10 years typical | — |
| 동작 온도 | -40 to 85 degrees C (Industrial) | [DATA_NEEDED: industrial temp range] |
| 패키지 | 63-ball VFBGA, 9 mm x 11 mm | 63-ball VFBGA, 9 mm x 11 mm |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Density | — | 1 Gbit (128 MB) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V (3.3 V typical) |
| Random Access Time | — | 20 ns |
| ECC Requirement | — | 4-bit ECC per 528 bytes |
| Program/Erase Cycles | — | 100,000 cycles (SLC typical) |
| Compliance | — | RoHS compliant, Halogen-Free |
| Packaging | — | Tape and Reel (TR suffix) |