YZ48G16V-F9HPI-M vs K4A8G165WC-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de YZ48G16V-F9HPI-M por Loongtion y K4A8G165WC-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCWE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Samsung | 96FBGA
K4A8G165WC-BCWE ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | YZ48G16V-F9HPI-M | K4A8G165WC-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Loongtion | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $8,60 | $38,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 3200 Mbps |
| Encapsulado | FBGA96 | 96-FBGA |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +85°C | 0°C to +95°C |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Interfaz | DDR4 | Differential (CK, /CK) |
| Recuento de pines | 96 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Industrial Grade | Yes | — |
| Compatible with | Samsung K4A8G165WC-BCWE, Micron MT40A512M16JY-07EAIT:B | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bits | — |
| Refresh | Auto-refresh | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | — | 8 (BL8) / 4 (BC4) |
| Number of Banks | — | 16 |
| Row Address Bits | — | 16 |
| Column Address Bits | — | 10 |
| JEDEC Standard | — | JEDEC DDR4 |